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面也要消耗掉0。44微米的厚度。
氧化可以说是所以后续工艺的基础，硅氧化的质量决定了后续晶圆加工的质量，所以我们在氧化制程过程中也会遵循一些特点，当然，这也是我们Intel的独门诀窍。 ”说完，小白同志在仔细观察张国栋他们这群人的反映，让他得意的是这群来自中国的土包子果然都竖起了耳朵，嘿嘿，真以为独门诀窍是这么好学的么，即使告诉他们一点经验也无关紧要吧，不过当他看到张国栋那种淡然的表情又恼怒起来，心中更是涌起了一定要给张国栋一个震撼看看的情绪，这也让他不知不觉中将很多原本不打算讲地事情给讲了出来。 所以，冲动是魔鬼啊。
“氧化层的成长速率不是一直维持恒定的趋势，制程时间与成长厚度之重复性是较为重要的考量。 后长的氧化层会穿透先前长的氧化层而堆积在上面。 换句话说，氧化所需之氧或水汽，势必也要穿透先前成长的氧化层到硅质层。 所以如果要生长出更厚地氧化层，遇到的阻碍也越来越大。 一般而言，很少成长2微米厚以上之氧化层。 注意。 是2微米，这还是经过我们Intel苦心钻研地结果。 以前连2微米都很难达到。 干氧层主要用于制作金氧半（MOS）晶体管的载子信道（channel）；而湿氧层则用于其它较不严格讲究的电性阻绝或制程罩幕（masking）。 前者厚度远小于后者，1000~ 1500埃已然足够。 至于如何选择的问题就要根据自身的条件来调整这个比例了，毕竟对于一个如此烧钱的产业来说，产能在短时间内几乎是稳定的，连我们Intel也没办法做到半年一个厂。 我想世界上应该还没有一个厂具备我们这样地条件吧。 ”小白说完带着一点得意和挑衅的眼神望着张国栋他们，可惜张国栋他们来之前可是做足了功课的，要说芯片大户。 那绝对是Intel独霸天下，可要说晶圆厂，那就不是Intel一言堂了，所以我们的钟志华先生就有话说了，“虽然贵公司在晶圆生产方面达到了一个很高的产量，但是日本不是还有东芝，NEC等一系列公司的晶圆产能都比你们高么？”
到底还是20多岁的年轻人，像张国栋这样心理年龄达到五十岁的老家伙就不会去在意这些虚名。 他吹你只管让他吹就是了，又不会少一块肉，又不是什么涉及到祖国和民族尊严地事情，他吹得越猛，不是越方便自己闷声发大财么。 不过既然自己的员工已经开了口，自己这个做老板的当然要为他们出头了。 不然这些鬼佬还真以为自己这些人是什么都不知道的乡巴佬呢。 于是张国栋接过话说到。
“没错，日本的NEC在这方面的确是走上了贵厂地前面，要知道这个时候的日本可是号称的经济要很快的赶超你们美国！NEC的钱可是多到用不完呢，嘿嘿。 ”张国栋这家伙又在利用美国佬的民族自尊心，唉，虽然美国佬是彻头彻尾的没有民族的家伙，可好歹人家长年累月的站在世界最高位，虽然旁边还有一群伊万在虎视眈眈，可美国佬除了害怕他们的核武器以外还真什么都没有怕过。 现在竟然跳出了个不知死活地小日本，这可真刺痛了这些山姆大叔那高傲地心。
果然。 张国栋一提小日本。 眼前这位标准的撒克逊后代要不是身上穿着无尘衣可就真要跳起来了，打人不打脸。 张国栋这家伙太坏了，人家最出名地企业纷纷被小日本给买下了，而Intel在存储器市场更是被人打得落花流水。 要不是小日本孤寂美国的军事实力，不得不向山姆大叔的核武低头，计算机市场鹿死谁手还不知道呢。
不过怎奈张国栋他们是说的是实话，在真理面前总是没法反驳的，所以我们的小白同志一张脸，即使隔着一层膜也能让人看见那脸红得滴血了。 真是难为他了，只见他努力平息了一下自己的心情，嘴里还不断的念念有词，或许是说的冲动是魔鬼，冲动是魔鬼，谁知道了。 龙腾的这群家伙也不为几甚，毕竟，无论怎样人家总比自己的龙腾强多了吧，愉悦了一下自己也就罢了。
“对不同晶面走向的晶圆而言，氧化速率有异：通常在相同成长温度、条件、及时间下，｛111｝厚度≧｛110｝厚度＞｛100｝厚度。 注意，前面已经说过晶向和晶种了。 一般的新厂经常不会注意到晶向对氧化速率的影响。 导电性能比较好的的硅晶氧化速率较快。 适度加入氯化氢氧化层质地较佳，但氯化氢比较容易腐蚀管路，这需要很强的经验才能处理好这之间的平衡，所以新厂一般比较少用，而且我们Intel也马上就要淘汰这种技术了。 ”
“接下来我就要给你们讲讲氧化层厚度的量测了，测量可分破坏性与非破坏性两类。 破坏性测量是在光阻定义阻绝下。 泡入缓冲过地氢氟酸（BOE，Buffered Oxide Etch，系 HF与NH4F以1：6的比例混合而成的腐蚀剂）将显lou出来的氧化层去除，lou出不沾水的硅晶表面，然后去掉光阻，利用表面深浅量测仪（surface profiler or alpha step），得到有无氧化层之高度差。 即其厚度。 而非破坏性的测厚法，以椭偏仪 （ellipsometer） 或是毫微仪（nano…spec）最为普遍及准确。 前者能同时输出折射率（refractive index；用以评估薄膜品质之好坏）及起始厚度b与跳阶厚度a （总厚度 t = ma ＋ b），实际厚度 （需确定m之整数值），仍需与制程经验配合来判断。 所以我才说即使把我们Intel所有的机器搬过去你们也不一定能创造出我们Intel一样地奇迹，毕竟，最重要的还是人。 不同厚度地氧化层会显现不同的颜色，且有2000埃左右厚度即循环一次的特性。 有经验的可单凭颜色而判断出大约的氧化层厚度。 而我们Intel就有大量的技术人员能凭着一双眼睛判断出来。 不过如果超过1。5微米以上的厚度时，氧化层颜色便渐不明显。 ”
小白同志给张国栋他们一口气介绍了这么多也算难得了。 虽然在关键地方语焉不详，以及习惯性地跳跃省略，但结合着面前充满了现代化美感的设备和厂房，倒也让龙腾一干技术人员咋舌不已，原来以前真的是坐井观天了。 很多人在加入龙腾科技前，在国家的什么叉叉研究所，那条件，实在是。 虽然**时期中国的半导体产业曾经一度拉小自己跟世界先进国家的差距。 可是就像中国造原子弹一样，都是在极其简陋的环境中生产过来的实验室产品，对于这种大规模应用，造出来地东西就严重的缺乏市场竞争力。
“好啦，时间也差不多过去了两个小时了，头儿吩咐给我的是三个小时。 你们说说还想了解一些什么技术和设备？”虽然说心理有点不耐烦，但小白还是有点职业道德的，所以对于自己上司说的三个小时那是绝对不敢打折扣的。
张国栋他们稍微地讨论了一下，最后还是由张国栋决定看微影得了，毕竟有的东西可能让他们看到了Intel也不会说明，张国栋还没有神奇到只需要看一眼就知道相关技术，他知道这么多还是前世他当Intel的技术指导时乘机了解的，但他也不是万能的啊。
“OK，你们选择了微影，那么接下来我会分为五块来介绍它。 第一块儿自然是正负光阻了。 其实微影光蚀刻术起源于照相制版的技术。 这个我就不多作介绍。 相信很多资料上面都可以查找得到。 自1970年起，微影光蚀刻术开始大量使用于半导体制程之图形转写复制中。 原理在我们现在看来是特别简单的。 利用对紫外线敏感之聚合物，或所谓光阻之受曝照与否，来定义该光阻在显影液中是否被蚀除，而最终留下与遮掩罩幕，即光罩（mask）相同或明暗互补之图形；相同者称之正光阻，明暗互补者称之负光阻（negative resist）。 一般而言，正光阻，其分辨率及边缘垂直度均佳，但易变质，储存期限也较短，大约半年到一年之间，常用于学术或研发单位；而负光阻之边缘垂直度较差，但可储存较久，常为半导体业界所使用。 当然我这也只是一个建议，至于具体要如何用，当然得看你们自己了。 第二块儿就是我刚刚提到过的光罩。
光罩制作，是微影的关键技术之一。 光罩制作的方式已经经过了几十年地演进。 最开始地时候是由分辨率极差的缩影机技术，改良为直接以计算机辅助设计制造软件控制地雷射束或电子束书写机，在具光阻之石英玻璃 板上进行书�